中新網1月27日電 美國新澤西州普林斯頓大學電機系華裔教授周郁去年發(fā)明的“雷射輔助刻塑”，日前被《財富》雜志渥爾夫納米報告(Wolfe Nanotech Report)評選為2002年度納米科技最具突破的發(fā)明。

　　渥爾夫納米報告是在訪問30位研究納米科技的專家后才決定獲獎人。該報告指出，周郁的發(fā)明改良傳統(tǒng)耗時的計算機芯片電路刻蝕法，使硅芯片制造產生突破性的發(fā)展，周郁得獎可謂實至名歸。

　　據美國世界日報報道，“雷射輔助刻塑”是將特制的鑄模套在硅晶圓上，投射20億分之一秒的激光脈沖波，融化后的晶圓依鑄模套的形狀完成刻塑，刻畫的線路直徑僅10納米寬(1納米為10億分之一米)，且一片芯片生產的時間僅需10億分之一秒。

　　周郁公開這項科技時，在科學界引起震撼，因為該技術可將硅芯片上的晶體管密度提高達200倍，并將制造硅芯片的復雜流程簡化為一個環(huán)節(jié)，該項周郁稱為“大規(guī)模集中線路”的方式，可使未來硅芯片規(guī)模將更小、成本更低，并使計算機的速度及內存皆大幅提升。